El getter de titanio para la fabricación de semiconductores en UHV es un material getter de titanio de alta pureza diseñado para entornos de ultra alto vacío (UHV) en la fabricación de semiconductores. Utiliza titanio de alta pureza con un contenido másico de Ti superior al 99,95 % y se deposita sobre superficies de sustrato mediante pulverización catódica con magnetrón para formar una capa getter densa con un espesor de 800 a 1200 nm. La capa getter puede activarse en condiciones de baja temperatura y tiempo corto de 300 a 450 °C durante 10 a 30 minutos. Después de la activación, ofrece un rendimiento de getter eficaz a temperatura ambiente sin calentamiento externo continuo ni evaporación, lo que la hace adecuada para entornos de procesos de semiconductores sensibles a la limpieza y al presupuesto térmico.

En la fabricación de semiconductores, este producto se utiliza principalmente para mantener el ultra alto vacío en cámaras de proceso y dispositivos. La película de titanio activada tiene una probabilidad de adherencia de 1 × 10⁻² a 5 × 10⁻² para el hidrógeno y de 0,4 a 0,6 para el monóxido de carbono (CO), lo que le permite absorber eficazmente los gases activos residuales y prolongar la vida operativa y la estabilidad del rendimiento de los dispositivos de vacío. En el envasado al vacío a nivel de oblea, este getter de titanio es compatible con los procesos de unión y sirve tanto como capa de unión como capa getter, ayudando a los dispositivos MEMS a mantener niveles de vacío estables a largo plazo después del envasado. También es adecuado para paredes de cámaras UHV o unidades getter localizadas en equipos de fabricación de semiconductores, proporcionando una solución de mantenimiento de UHV sin aceite que reduce la interferencia de gases residuales durante el procesamiento.

Especificaciones del producto

Material: Titanio de alta pureza
Pureza (Ti): ≥99,95 %
Espesor de la capa getter: 800–1200 nm
Temperatura de activación: 300–450 °C
Tiempo de activación: 10–30 minutos
Compatibilidad de vacío: Ultra alto vacío (UHV)
Gases absorbidos: Hidrógeno, monóxido de carbono y otros gases residuales

Características del Producto

Activación a baja temperatura para compatibilidad con el presupuesto térmico
El getter de titanio se activa a 300–450 °C en 10–30 minutos, lo que permite su integración en procesos de semiconductores sin exponer dispositivos sensibles a la temperatura a un estrés térmico prolongado.

Getter a temperatura ambiente sin calentamiento continuo
Una vez activado, el getter continúa absorbiendo gases residuales a temperatura ambiente, eliminando la necesidad de calentamiento externo continuo y reduciendo el ruido térmico, el consumo de energía y la complejidad del proceso.

Mantenimiento distribuido de UHV dentro de las cámaras de proceso
El getter puede depositarse en las paredes de la cámara o en áreas localizadas para proporcionar bombeo distribuido, mejorando la estabilidad del vacío en espacios estrechos y zonas muertas donde las bombas convencionales son menos eficaces.

Absorción selectiva de hidrógeno y monóxido de carbono
Absorbe eficientemente hidrógeno, monóxido de carbono y otros gases activos residuales comunes en la fabricación de semiconductores, ayudando a reducir la interferencia de gases durante la deposición de películas delgadas y el funcionamiento de los dispositivos.

Entorno de vacío sin aceite para el control de contaminación
Como getter de titanio no evaporable, no introduce vapor de aceite ni contaminación por partículas, lo que respalda las condiciones limpias de ultra alto vacío requeridas para la fabricación avanzada de semiconductores y microelectrónica.

Doble función en el envasado al vacío a nivel de oblea
En el envasado al vacío a nivel de oblea, la película de titanio puede servir tanto como capa de unión como capa getter, ayudando a los MEMS y otros dispositivos sensibles al vacío a mantener un vacío interno estable durante largos períodos.

Aplicaciones

Cámaras de proceso UHV para la fabricación de semiconductores
El getter ayuda a mantener un ultra alto vacío estable en cámaras de deposición, grabado y tratamiento de superficies al absorber gases activos residuales que pueden afectar la repetibilidad del proceso.

Envasado al vacío a nivel de oblea para MEMS y sensores
Favorece la retención de vacío a largo plazo dentro de paquetes sellados a nivel de oblea, ayudando a los dispositivos MEMS y sensores a mantener un rendimiento estable después del envasado.

Deposición de películas delgadas y procesamiento de superficies
En pulverización catódica, evaporación y procesos relacionados de películas delgadas, el getter reduce la interferencia de gases residuales para favorecer un crecimiento de película más limpio y una calidad de capa más consistente.

Herramientas de clúster y módulos de transferencia al vacío
Integrado en cámaras de transferencia y áreas de carga-esclusa, limita la reabsorción de gases durante la manipulación de obleas y reduce la contaminación cruzada entre pasos de proceso.

Sistemas de metrología y análisis de superficies en UHV
Ayuda a que las herramientas de metrología y análisis de superficies se mantengan a baja presión estable, respaldando la medición fiable de películas delgadas, interfaces y estructuras de dispositivos.

Dispositivos microelectrónicos sensibles al vacío
Para dispositivos microelectrónicos que requieren vacío interno, el getter proporciona una forma compacta de gestionar las especies desgasificadas y prolongar la vida operativa después del sellado.