Getter de titanio con 20 mm de altura para entornos de vacío ultra-alto
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Getter de titanio con 20 mm de altura para entornos de vacío ultra-alto

Getter de titanio con 20 mm de altura para entornos de vacío ultra-alto

Diámetro: 9mm

Altura: 20 mm

Tamaño de poro: 10 micras

Técnica: sinterización

Envíeconsulta
Introducción del producto

El captador de titanio de alto-rendimiento de TOPTITECH está diseñado mediante un proceso patentado de prensado de moldes y sinterización al vacío a alta-temperatura, utilizando polvo de titanio puro GR1 de primera calidad.

 

Este producto presenta una geometría precisa con un diámetro de 9 mm y una altura de 20 mm, y una estructura porosa interna meticulosamente controlada con un tamaño de poro promedio de 10 micrómetros, lo que proporciona una inmensa superficie específica.

 

Su función principal es servir como absorbente de gas eficiente en entornos de vacío ultra-alto, quimiosorbiendo activa y selectivamente moléculas de gas reactivo, como oxígeno, nitrógeno y metano, y al mismo tiempo siendo transparente a los gases nobles. Esta acción crea y mantiene un ambiente puro que contiene solo las especies de gas noble objetivo para análisis posteriores o procesos especializados.

 

Especificaciones de productos

 

Material

titanio gr1

Tamaño de poro

10um

Diámetro

9mm

Altura

20mm

Técnica

Sinterización

 

Características de los productos
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Selectividad y rendimiento de sorción excepcionales: aprovechando la alta reactividad química del titanio puro GR1 y su precisa estructura de poros de 10 micrómetros, este captador exhibe una alta capacidad de sorción y velocidad para gases activos, incluidos oxígeno, nitrógeno, hidrógeno, vapor de agua, monóxido de carbono, dióxido de carbono e hidrocarburos.

Integridad estructural y de materiales superiores: fabricado con titanio puro GR1 de grado aeroespacial-, el captador garantiza una desgasificación mínima y no es-magnético. La estructura porosa monobloque formada por sinterización al vacío a alta-temperatura ofrece una alta resistencia mecánica, eliminando el riesgo de polvo o desprendimiento de partículas que podrían contaminar los sensibles sistemas de vacío, garantizando así la estabilidad operativa a largo plazo-.

 

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Geometría y consistencia precisas: rigurosos controles de fabricación garantizan dimensiones exactas de 9 mm de diámetro y 20 mm de altura, junto con una arquitectura micro-porosa altamente reproducible en todas las unidades.

Diseñado para entornos extremos: desde la materia prima hasta la fabricación, este producto está diseñado para aplicaciones UHV exigentes. Resiste horneado a altas-temperaturas (normalmente hasta 400 grados) para una limpieza eficaz de la superficie previa a la instalación-y se activa a temperaturas operativas, lo que demuestra una excelente estabilidad térmica y una larga vida útil.

aplicaciones

Análisis de gases nobles y espectrometría de masas: en geoquímica de gases nobles, monitoreo de desmantelamiento nuclear o estudios de trazadores ambientales, este captador se integra en líneas de purificación de gases para eliminar de manera eficiente las impurezas de gases activos de las corrientes de muestra.

 

Sistemas de vacío ultra-alto y extremadamente alto: dentro de los aceleradores de partículas, las instalaciones de radiación sincrotrón y las estaciones experimentales científicas de superficies, actúa como una bomba de iones de pulverización-primaria o auxiliar, absorbiendo continuamente gases activos que se desorben de las paredes de la cámara o se desgasifican de los materiales.

 

Detectores y equipos de investigación especializados: se utiliza ampliamente dentro de equipos que requieren un entorno de gas noble puro, como espectrómetros de masas de gases nobles, purificadores de gases inertes de alta-pureza y detectores de radiación. Al mantener la pureza del medio gaseoso interno, se salvaguarda la precisión de las mediciones y se garantiza la estabilidad del detector a largo plazo-.

 

Procesos de fabricación avanzada y de semiconductores: en-procesos de investigación de materiales y fabricación de semiconductores de vanguardia, como la epitaxia de haz molecular, la implantación de iones y la deposición de capas atómicas, este captador ayuda a crear un entorno de proceso libre de contaminación por gases activos.

 

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